买卖IC网 >> 产品目录 >> SI2316DS-T1 MOSFET 30V 3.4A 0.7W datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI2316DS-T1

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 30V 3.4A 0.7W
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30V 3.4A 0.7W
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 2.9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.05 Ohms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TO-236-3
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI2316DS-T1
SI2316DS-T1-E3
SI2316DS-T1-GE3
SI2317DS
SI2318CDS
SI2318CDS-T1-E3
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深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129491949(手机优先 谭玉丽
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  • SI2316DS-T1 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价